Gelişmiş bellek teknolojilerinde dünya lideri Samsung Electronics, küresel PC üreticilerine yönelik altıncı nesil (1xx katmanlı) 256-gigabit (Gb) 3-bit V-NAND yongalarına sahip, 250 GB SATA SSD ürünlerin seri üretimine başladığını duyurdu. Yeni nesil V-NAND duyurusunu sadece 13 ay içerisinde gerçekleştiren Samsung, performans ya da güç ve üretim verimliliği alanlarında en taviz vermeden mevcut üretim döngüsünü de 4 ay daha kısaltmayı başarmış görünüyor.
100+ Katman Tasarımına Sahip İlk 3D Bellek Zar Yapısı
Samsung’un altıncı nesil V-NAND’ı, sektörün en hızlı veri aktarım hızlarına sahip ve şirketin 3D bellek çözümlerini yeni zirvelere çıkaran farklı üretim avantajlarından faydalanıyor.
Samsung’un “kanal delik aşındırma” olarak çevrilebilecek “channel hole etching’” teknolojisini kullanan yeni V-NAND, bir önceki 9x (90+) katmanlı tek yığınlı yapıda yaklaşık %40 daha fazla hücre eklenmesini sağlıyor. Bunu başarabilmek için 136 katmandan oluşan elektriksel olarak iletken bir kalıp yığını oluşturularak yukardan aşağı doğru silindirik delikler açılması ile homojen 3D şarj tuzağı flaş (charge trap flash-CTF) hücreleri oluşturuluyor.
Her bir hücre bölgesindeki kalıp yığını yükseklikte artışa sebep olduğundan, NAND flaş yongaları hatalara ve okuma gecikmelerine karşı daha savunmasız olma eğilimindedir. Bu tür sınırlamaların üstesinden gelmek için Samsung, yazma işlemleri için 450 mikrosaniyenin (μs) altında ve okuma işlemleri için 45μs’nin altında olan, en yüksek veri aktarım hızına ulaşmasını sağlayan hız için optimize edilmiş bir devre tasarımı kullanmış. Bu sayede önceki nesle kıyasla, performansta yüzde 10’dan fazla bir artış, güç tüketiminde ise yüzde 15’ten fazla düşüş elde edilmiş.
Hız için özelleştirilmiş bu tasarım sayesinde, Samsung, yonga performansından veya güvenilirliğinden ödün vermeden mevcut akımların üçünü monte ederek 300’den fazla katmana sahip yeni nesil V-NAND çözümleri sunabilecek. Hız için geliştiirlmiş bu tasarım sayesinde, Samsung yonga güvenilirliğinden ya da performansından ödün vermeden mevcut yığınlardan (stack) üç tane kullanarak 300 ve üzeri katmana sahip yeni nesil V-NAND çözümleri sunabilecek.
Yüksek hız ve düşük güç özelliklerinin avantajlarından her alanda faydalanmayı amaçlayan Samsung, yeni 3D V-NAND yongaları sadece yeni nesil mobil cihazlar ve kurumsal sunucular gibi alanlarda değil, aynı zamanda yüksek güvenilirliğin son derece önemli olduğu otomotiv pazarında da kullanmayı planlıyor.
Samsung, 250GB SSD duyurusunun ardından, bu yılın ikinci yarısında 512Gb 3-bit V-NAND SSD ve eUFS çözümlerini sunmayı planlıyor. Şirket ayrıca, küresel müşterilerin talebini daha iyi karşılamak için gelecek yıldan itibaren daha hızlı ve daha yüksek kapasiteli altıncı nesil V-NAND çözümlerinin üretimini Pyeongtaek (Kore) tesislerinde gerçekleştirmeyi amaçlıyor.
Kaynak : Samsung