Gelişmiş bellek teknolojisinde dünya lideri Samsung Electronics, 1Tb-bir terabit, TLC (üç seviyeli hücre-triple-level cell) 9.Nesil V-NAND (vertical-NAND/dikey-NAND) çözümlerininin seri üretimine başladığını duyurdu.

Sektörün en küçük hücre boyutuna ve en ince kalıbına sahip olan çözümü ile V-NAND bit yoğunluğunu Samsung 8.nesil V-NAND’a oranla yaklaşık %50 oranında artırıyor. Hücre parazitini önleme ve hücre ömrünü uzatma gibi yenilikler ile ürün kalitesini ve güvenilirliğini artırılması sağlanmış. Boş kanal boşluklarının ortadan kaldırılması ile de bellek hücrelerinin düzlemsel alan boyutu da önemli ölçüde azaltılmış.

Ayrıca Samsung’un gelişmiş “kanal boşluğu aşındırma” teknolojisi şirketin süreç yeteneklerindeki liderliğini ortaya koyuyor. Bu teknoloji ile kalıp katmanları istiflenerek elektron yolları oluşturuluyor ve üretim verimliliği en üst düzeye çıkıyor. Ayrıca çift istifli bir yapıda endüstrinin en yüksek hücre katmanı sayısının eşzamanlı olarak delinmesi sağlanıyor. Hücre katmanları sayısı arttıkça, daha çok sayıda hücreyi delme becerisinin önemi artar ve gelişmiş aşındırma teknikleri gerektirir.

9. nesil V-NAND, veri giriş/çıkış hızlarını %33 oranında artırarak saniyede 3,2 gigabite kadar destekleyen “Toggle 5.1” yeni nesil NAND flash arayüzü ile sunuluyor. Bu yeni arayüz ile birlikte Samsung PCIe 5.0 desteğini genişleterek yüksek performanslı SSD pazarındaki yerini sağlamlaştırmayı planlıyor.

Düşük güç tasarımındaki geliştirmeler ile güç tüketimi bir önceki nesile göre %10 iyileştirilmiş. Enerji kullanımı ve karbon emisyonlarının düşürülmesi kullanıcılar için giderek daha önemli hale geldikçe Samsung’un 9.nesil V-NAND’ı da gelecekteki uygulamalar için en uygun çözümlerden birisi olması bekleniyor.

Nisan ayında seri üretimine başlanan Samsung 1Tb TLC 9.nesil V-NAND çözümlerini, yılın ikinci yarısında üretimi başlayacak olan QLC (quad-level cell-dört seviyeli hücre) modelleri takip edecek.

Kaynak : Samsung