ABD’nin Santa Clara (CA) kentinde düzenlenen Flash Memory Summit 2016 etkinliğinde; Samsung 4. nesil Vertical NAND (V-NAND) ve kurumsal kullanıcılar için tasarlanmış; yüksek performanslı ve yüksek kapasiteli Z-SSD gibi katı hal sürücü (SSD) çözümleri ile flash-tabanlı depolama için yeni nesil çözümlerini tanıttı.

Yeni Samsung flash depolama ürünleri, günümüz kurumsal bilgi işlem ortamlarının giderek artan depolama ihtiyaçları için çözümler sunmayı hedefliyor. Bu çözümler sayesinde; daha düşük maliyetler ile çok büyük miktarda veri depolanabilir, veriler çok yüksek hızlarda işlenebilir hale gelecek.

Samsung’un 4. Nesil V-NAND yığınları bir önceki nesile göre %30 daha fazla hücre dizisi katmanına sahipler.

Samsung tarafından duyurusu yapılan 4. Nesil 64 katmanlı TLC (triple-level-cell) V-NAND flash bellek çözümü, NAND yongaların performans, kapasite ve ölçeklenebilirlik sınırlarını zorluyor. 64 katmanlı hücre dizisi yapısı ile yeni 512Gb kapasiteli ve 800Mbps hızında V-NAND çözümler elde edilebilecek. Samsung, 2013 Ağustos ayında birinci nesil 24 katman V-NAND çözümler ile elde ettiği liderliği 32, 48ve 64 katmanlı 4.nesil çözümler ile sürdürmeye devam ediyor.

Samsung, dünyanın ilk 4. Nesil V-NAND yongalı flash bellek ürünlerini 2016 yılının 4. çeyreğinde kullanıma sunmayı planlıyor. Bu sayede üreticilerin daha hızlı, daha şık taşınabilir çözümler sunmasını sağlayarak tüketicilerin daha verimli kullanım deneyimi yaşayabilmeleri hedefleniyor.

Kurumsal depolama sistemleri için dünyanın en yüksek kapasiteli sürücüsü − 32TB SAS SSD

Samsung tarafından duyurulan yeni SAS (Serial Attached SCSI) SSD çözümü, 512-gigabit (Gb) V-NAND yongaları tabanlı dünyanın en yüksek kapasiteli sürücüsü durumunda. 512 adet V-NAND yongaların 16 katmanlı olarak dizilmesi elde edilen 1TB paketlerden 32 adet içermekte.

4.Nesil yeni V-NAND tasarımı ile üretilen 32TB SAS SSD 2,5 inç biçim faktörü ile 2017 yılında üretilmeye başlanacak. Samsung, sürekli gelişen V-NAND teknolojisi sayesinde 2020 yılında SSD sürücülerin 100TB depolama sınırını aşacağını öngörüyor.

Tekil BGA paketinde 1TB kapasite

Samsung 1TB BGA SSD; son derece küçük boyutlu BGA (ball grid array) paket tasarımı ile triple-level-cell V-NAND flash yongaları, LPDDR4 mobile DRAM ve gelişmiş Samsung kontrolcüsü gibi temel SSD bileşenlerini bir arada sunan  bir yapıya sahip.

1,500MB/s ardışık okuma ve 900MB/s. ardışık yazma hızı değerleri ile sıradışı performans sunan yeni SSD, bir önceki modele göre %50 daha küçük boyuta ve 1 gramdan daha hafif ağırlığa sahip, bu sayede yeni nesil dizüstü, tablet ve 2si bir arada sistemler için son derece uygun bir depolama çözümü sunuyor.

Samsung; 1TB BGA SSD çözümünü, Samsung Electronics ve Samsung Electro-Mechanics tarafından geliştirilen “FO-PLP (Fan-out Panel Level Packaging)” paketleme teknolojisini kullanarak önümüzdeki yıl sunmayı planlıyor.

Mevcut NAND flash depolama sınırlarını zorlayan yeni Z-SSD

Samsung Flash Memory Summit 2016 etkinliğinde Son derece düşük gecikme ve yüksek performans sunan SSD çözümü olan Z-SSD ürününü de duyurdu. Samsung Z-SSD, temel V-NAND yapısına sahip olmakla beraber benzersiz devre yapısı ve kontrolcüsü ile Samsung PM963 NVMe SSD sürücüye göre 4 kat daha düşük gecikme süresi ve 1.6 kat daha yüksek ardışık okuma performansı sunuyor.

Önümüzdeki yıl kullanıma sunulması beklenen Z-SSD; gerçek zamanlı işlenen hassas verilerin analizi gibi yüksek performans gerektiren iş yüklerinde kullanımı hedefliyor.